标签: 恒运昌等离子体射频电源拓荆科技半导体设备

2026-11-14 [品牌资讯] 来源：妇人之仁网

云梦级11月17日云梦级消息，据芯东西报道，近日刚刚，广东深圳半导体设备核心零部件供应商恒运昌通过上市委会议审议，向科创板IPO又迈出关键一步。

恒运昌成立于2013年3月，是国产等离子体射频电源系统行业龙头企业、国内极少数实现半导体级等离子体射频电源系统量产的企业，获评国家专精特新重点“小巨人”企业。

等标签离子体射频电源系统是半导体设备零部件国产化最难环节之一，是半导体制程工艺中薄膜沉积、刻蚀、离子注入、清洗去胶及键合等工艺控制的关键，直接决定设备工艺能力、产品良率。

根据弗若斯特沙利文统计，2024年，中国大陆半导体领域等离子体射频电源系统的国产化率不足12%，恒运昌在国产等离子体射频电源系统厂商中的市场份额位列第: 一。

历经十年，恒运昌先后推出CSL、Bestda、Aspen三代产品系列等离子体射频电源系统，成功打破了美系两大巨头MKS和AE在国内长达数十年的垄断格局。其量产产品已达国际龙头企业的次新一代同等技术水平，可以支持7-14nm制程。

在国内半导体领域，恒运昌是首家出货过亿元和首家实现等离子体射频电源系统（支持半导恒运体先进制程）量产的国产厂商。

其产品系列不断通过拓荆科技、中微公司、北方华创、微导纳米等国内半导体设备头部厂商的验证并实现批量交付，并配套中芯国际、长江存储等国内晶圆厂。

该公司最近一次市场化融资完成于2023年12月，投后估值为32.92亿元。

值得一提的是，国产薄膜沉积设备龙头拓荆科技不仅是恒运昌的第一大客户昌，也是其第七大股东，直接持股3.09%，同时拓荆科技全资子公司上海岩泉持股0.33%。

本次IPO，恒运昌拟使用募资投入金额14.69亿元，投资于沈阳半导体射频电源系统产业化建设项目、半导体与真空装备核心零部件智能生产运营基地项目、研发与前沿技术创新中心项目、营销及技术支持中心项目及补充流动资金。

等离子体射等离频电源系统是半导体设备零部件国产化最难关卡之一，技术壁垒高、研发投入大、研发周期长、生产的“精确复制”要求极高，国产化率极低。

恒运昌主要从事等离子体射频电源系统、等离子体激发装置、等离子体直流电源、各种配件的研发、生产、销售及技术服务，并引进真空获得和流体控制等相关的核心零部件，围绕等离子体工艺提供核心零子体部件整体解决方案。

如果把芯片制造比喻成版画艺术品的高科技复刻，那么产生及控制等离子体的等离子体射频电源系统就是这场高科技复刻的“指挥家”。

等离子体射频电源系统通过精确控制电流频率和功率，指挥着半导体制造过程中的等离子体变化，确保在晶圆表面精确、均匀地沉积出薄膜层、精细地刻蚀出复杂图形和去除光刻胶等。

由于具有独特的射频光、热、电物理特性以及高活性、高能量的特点，等离子体为半导体精密制造提供了不可替代的工艺基础。

如今等离子体工艺广泛应用于薄膜沉积、刻蚀、离子注入、清洗去胶、键合等芯片制造的重要环节，并随着先进封装技术的发展应用于更多工艺环节中。

恒运昌聚焦于等离子体射频电源系统的技术攻关，在2021年向中芯国际交付Bestd电源a等离子体射频电源，实现了国内首颗刻蚀设备用射频电源的原位替换；2022年，其Aspen系列等离子体射频电源和Basalt系列匹配器在中芯国际晶圆产线上替代了CVD（化学气相沉积）工艺设备中的海外等离子体射频电源及匹配器产品。

2023年，其最新一代Aspen系列等离子体射频电源和Basalt系列匹配器已拓经随拓荆科技新一代P系列薄膜沉积设备、中微公司新一代N系列刻蚀设备交付国内头部晶圆厂，目前已进入晶圆生产的正式验证。

恒运昌自主研发的第二代产品Bestda系列可支撑28nm制程，第三代产品Aspen系列可支撑7-14nm先进制程，达到国际先进水平，填补国内空白。

其核心技术包括两方面：1）从测量、控制、架构三方面构荆科建的底层通用的3大基石技术；2）基于3项基石技术，结合半导体设备中的应用，特别是先进制程中更快速、更精准、更稳定的应用诉求和实现难点，发展出8大产品化支撑技术。

截至2025年6月30日，恒运昌共有研发人员158名，占全部员工比例为42.13%。

2022年、2023年、2024年、2025年1-6月，恒运昌技营收分别为1.58亿元、3.25亿元、5.41亿元、3.04亿元，净利润分别为0.26亿元、0.80亿元、1.42亿元、0.69亿元，研发费用分别为0.22亿元、0.37亿元、0.55亿元、0.43亿元。

根据招股书，其2025年1-6月收入较上年同期上升而净利润下降，主要因为在2025年上半年加大研发投半导入。

自研产品占恒运昌整体收入的比例逐年增长，2025年上半年达到84.81%。